光刻機(jī)在芯片制造中使用的激光器通常是用于曝光光學(xué)系統(tǒng)的光源。激光器的選擇對于光刻機(jī)的性能和成像質(zhì)量至關(guān)重要。

氬氖激光器（ArF）

氬氖激光器是傳統(tǒng)紫外光刻機(jī)（DUV）中常用的光源之一。其中，ArF激光器工作在193納米波長，是制造28納米、14納米和更大尺寸節(jié)點(diǎn)的常見選擇。它們提供高能量、穩(wěn)定性和良好的光刻性能。

氟化物激光器（KrF）

氟化物激光器也是紫外光刻機(jī)的常見光源，工作在248納米波長。它們主要用于較大節(jié)點(diǎn)的芯片制造，如90納米、65納米和45納米節(jié)點(diǎn)。KrF激光器具有良好的能量輸出和成像能力。

極紫外（EUV）光刻機(jī)的激光器

極紫外（EUV）光刻機(jī)采用的是更短波長的光源，通常是以鋰（Li）等材料為目標(biāo)，利用高功率CO2激光器產(chǎn)生的光線來產(chǎn)生極紫外輻射。這些激光器產(chǎn)生的光波長為13.5納米，可以實(shí)現(xiàn)更小的制造工藝節(jié)點(diǎn)，如7納米和5納米。

二氧化碳（CO2）激光器

CO2激光器通常用于制造大尺寸芯片和光刻機(jī)的對準(zhǔn)系統(tǒng)。它們具有高功率和穩(wěn)定性，并且適用于一些特殊的制造工藝，如深紫外（DUV）光刻。

其他激光器

除了上述常見的激光器之外，還有一些其他類型的激光器，如固態(tài)激光器、半導(dǎo)體激光器和氬離子激光器等。它們在一些特殊的光刻應(yīng)用中可能會(huì)被采用。

激光器的選擇取決于光刻機(jī)的應(yīng)用需求、制造工藝和成本考量等因素。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步，光刻機(jī)激光器的選擇也將不斷演進(jìn)，以滿足不斷變化的市場需求和制造挑戰(zhàn)。